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第一届半导体装备学术会议在津落幕:兆声波清洗技术成半导体湿法工艺焦点

时间:2026-08-24

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来源: 哈科迪兆声波

2026年8月19日至22日,第一届半导体装备学术会议在天津富力万达文华酒店圆满落幕 [1][3]。本届大会由中国机械工程学会主办,中国机械工程学会半导体装备分会联合清华大学、华海清科股份有限公司承办,主题为“产学同心强装备·芯智融合启未来”。来自全国高校、科研院所与半导体装备企业的院士、行业领军专家、企业技术负责人和院校学者齐聚津门,围绕我国半导体装备的自主创新与产学研协同展开深度交流 。
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1. 清洗装备为何成为本届会议焦点之一

在本次会议设置的七大专题中,“清洗”是贯穿多个分会场的关键词:衬底材料制造装备专题明确列出“长晶、切、磨、抛、清洗等衬底加工装备技术”,晶圆制造装备专题将“CMP、清洗”列为前道装备核心方向,零部件与材料专题则涵盖“洁净流体部件”等关键零部件 [1]。随着先进制程线宽持续下探,晶圆表面的亚微米乃至纳米级颗粒残留已成为制约良率的关键因素,清洗工艺正从“辅助工序”走向“核心工序”,清洗装备及其核心零部件的国产化需求日益迫切。

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2. 兆声波清洗:1MHz高频低损伤的精密清洗方案

兆声波清洗利用约1MHz量级的高频机械波驱动清洗液体作用,在较低表面损伤的前提下有效去除亚微米至纳米级颗粒,常用于芯片终端清洗、CMP后清洗、研磨前清洗、去胶、显影等环节。与传统清洗方式相比,兆声波的核心特点集中在“去除颗粒尺度更小、表面损伤风险更低、污染性更低”三个方面(见表1),这与先进制程对晶圆表面洁净度的严苛要求高度契合。

表1 常见清洗方式对比(定性)

清洗方式

去除颗粒尺度

表面损伤风险

效率

典型场合

机械刷洗

大颗粒

大颗粒与高粘性污染物

RCA清洗

大颗粒

较大

有机物与重金属

超声波清洗

中/小颗粒

过程污物与杂质

兆声波清洗

微颗粒

芯片终端清洗、CMP后清洗

3. 哈科迪兆声波:支持单位展示国产兆声波模块矩阵

作为本次会议的支持单位之一,哈科迪兆声波技术(深圳)有限公司在会议期间与行业专家学者、设备厂商围绕兆声波模块在半导体湿法工艺中的应用进行了交流,并展示了覆盖槽式、喷嘴式、贴合式、水幕式四大形态的1MHz兆声波模块产品矩阵,以及配套的多频超声发生器与兆声波系统维修服务 [4]
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四大模块形态对应不同工艺场景(见表2):槽式模块适用于CMP、研磨前、去胶、显影等批量/小批量浸没清洗,振盒覆盖6/8/12英寸晶圆档位;喷嘴式模块适用于在线局部喷流清洗,流速窗口0.2~2L/min、功率5~60W;贴合式模块换能器贴近工件,声场作用面积更大、更均匀;水幕式模块面向面板、蓝宝石与光学元件的精密淋洗 [4]

表2 哈科迪兆声波模块矩阵(1MHz)

模块形态

代表型号

功率要点

典型场景

槽式

HKD-STank-1M800W / HKD-MTank-1M1200W

800W / 1200W,振盒6/8/12寸档

CMP、研磨前、去胶、显影等浸没清洗

喷嘴式

HKD-Jet-1M60W

5~60W,流速0.2~2L/min

在线局部喷流清洗

贴合式

HKD-MegPie-1M250W

5~250W

换能器贴近工件、声场较均匀

水幕式

HKD-MegaShower-1M600W

单节5~600W

面板、蓝宝石、光学元件淋洗

在核心技术上,哈科迪兆声波模块采用PLL频率实时跟踪、恒功率稳定输出、扫频驱动与谐振频率智能寻优等机制,可在负载、液温变化时维持高效稳定输出;其换能器载体材料选用PEEK、石英、蓝宝石单晶等,在湿法工艺中需对标SEMI F57等规范对材料洁净度的要求 [2][5][4]
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4. 产学同心,加速兆声波模块国产替代

本届大会主题“产学同心强装备”恰好呼应了半导体装备国产化的产业节奏。兆声波模块作为晶圆湿法设备的核心零部件,长期依赖进口,交期与价格受制于人。哈科迪依托深圳市创新创业计划技术攻关重点项目(2022N076,兆声波清洗关键技术与设备研发)积累的技术底座,在PLL控制、能量均匀性、长寿命换能器等方向持续攻关,为国内湿法设备厂商提供了对标进口产品的国产化选项 [4]。从“不敢用”到“可以试”,国产兆声波模块正逐步进入量产验证与产线替换阶段。
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5. 结语

第一届半导体装备学术会议的成功举办,标志着我国半导体装备领域产学研协同进入新阶段。清洗装备作为晶圆制造的核心环节,兆声波模块等关键零部件的国产替代,正在为自主可控的半导体产业链补上关键一环。随着国产兆声波模块在稳定性、适配性与服务响应上的持续提升,“点状突破”有望加速走向“体系化覆盖”。
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6. 常见问题

1. 兆声波和超声波在清洗上差在哪里?

兆声波利用约1MHz量级的高频机械波,去除颗粒尺度更小(亚微米至纳米级)、对芯片表面损伤更低,更适合芯片终端清洗、CMP后清洗等精密环节;超声波频率在几十kHz量级,空化冲击力强,适合去除较大颗粒与过程污物。

2. 兆声波清洗为什么适合先进制程晶圆?

先进制程(如28nm及以下)对晶圆表面污染控制要求极高,颗粒残留尺寸需要控制在纳米级。兆声波清洗能量密度高但冲击柔和,可在不损伤低k介质、精细图形结构的前提下高效去除纳米颗粒,因此成为先进制程晶圆清洗的重要方案。

3. 槽式兆声波模块功率如何对照晶圆尺寸?

哈科迪槽式兆声波模块按振盒规格匹配功率:单6英寸约600W、双6英寸/单8英寸约1200W、双8英寸/12英寸约2400W,可按产线晶圆尺寸与批量选择对应档位 [4]

4. 兆声波模块国产替代进展如何?

以哈科迪为代表的国内厂商已形成覆盖槽式、喷嘴式、贴合式、水幕式四大形态的1MHz兆声波模块产品矩阵,并具备多频超声发生器与维修服务能力,为国内湿法设备厂商提供对标进口产品的国产化选择 [4]

参考来源

[1] 中国机械工程学会第一届半导体装备学术会议通知(第一轮)

[2] SEMI F57 - 超纯水与液体化学品输送系统高纯度聚合物材料与组件规范

[3] 第一届半导体装备学术会议官网(科学会议网)

[4] 哈科迪官网 - 兆声波模块

[5] SEMI国际标准 - 液体化学品组标准


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